[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200510071435.6 | 申请日： | 2002-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1702874A | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 新田哲也;凑忠玄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，它是在第一导电型的半导体衬底(1)内，有反复重复地构成的以下结构：具有互相并联配置的第一导电型的第一杂质区(3)和第二导电型的第二杂质区(4)的单元结构，其特征在于：备有连接在各上述单元结构内的第一杂质区(3)及第二杂质区(4)两者中的至少一者上配置的带电层(71)，各上述单元结构内的上述带电层(71)内的正电荷量和各上述单元结构内的n型杂质量的和、与各上述单元结构内的上述带电层(71)内的负电荷量和各上述单元结构内的p型杂质量的和不等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，它是在第一导电型的半导体衬底(1)内，有反复重复地构成的以下结构：具有互相并联配置的第一导电型的第一杂质区(3)和第二导电型的第二杂质区(4)的单元结构，其特征在于：备有连接在各上述单元结构内的第一杂质区(3)及第二杂质区(4)两者中的至少一者上配置的带电层(71)，各上述单元结构内的上述带电层(71)内的正电荷量和各上述单元结构内的n型杂质量的和、与各上述单元结构内的上述带电层(71)内的负电荷量和各上述单元结构内的p型杂质量的和不等。
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