[发明专利]高纯镍、由其构成的溅射靶及通过该靶形成的高纯镍薄膜无效
| 申请号： | 200510071245.4 | 申请日： | 2001-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1715454A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 新藤裕一朗;竹本幸一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | C25C1/08 | 分类号： | C25C1/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;杨青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 使用含镍溶液作为电解液进行电解时，将阳极电解液调至pH2－5，在阳极电解液中加入氧化剂将铁、钴、铜等杂质以氢氧化物的形式沉淀，或通过预备电解除去该杂质，或者加入Ni箔通过置换反应除去该杂质这些方法中无论使用一种或组合两种以上除去杂质后，进一步使用过滤器除去杂质，使用除去了杂质后的溶液作为阴极电解液进行电解。本发明涉及使用含镍溶液进行电解精制的简便方法，从含有大量杂质的镍原料有效制造纯度5N(99.999重量％)以上的高纯镍的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 构成 溅射 通过 形成 薄膜 | ||
【主权项】：
1.高纯镍，除气体成分外其为5N(99.999重量％)以上，其中杂质氧：30重量ppm以下，C、N、S、P、F各自为10重量ppm以下。
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