[发明专利]记忆卡封装结构与此结构的封装方法无效
| 申请号： | 200510071002.0 | 申请日： | 2005-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1776901A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 刘志成;杨正一;胡定中 | 申请（专利权）人： | 鑫创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/50;H01L23/28;H01L21/56;H01L21/60;G06K19/077 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种记忆卡的封装结构，此封装结构包括一基板。此基板具有多个连接接合垫与多个导电的导线结构。连接接合垫配置在基板的一第一表面上，而导电的导线结构则分别与连接接合垫连接并延伸至基板的一第二表面上。至少一芯片配置于基板的第一表面上方。多个接合结构分别耦接于导电的导线结构与连接接合垫之间。具有一所欲厚度的一第一封装材料层形成于基板上，其中第一封装材料层具有一开口区域而未覆盖芯片与连接结构。具有与第一封装材料层相同厚度的一第二封装材料层填满第一封装材料层的开口区域。记忆卡的封装方法也被提出。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 封装 结构 与此 方法 | ||
【主权项】：
1、一种记忆卡的封装结构，其特征在于其包括：一基板，具有多数个连接接合垫与多数个导电的导线结构，该些连接接合垫配置在该基板的一第一表面上，而该些导电的导线结构则分别与该些连接接合垫耦接并延伸至基板的一第二表面上；至少一芯片或至少一堆迭芯片配置于该基板的该第一表面上；多数个接合结构，分别耦接于该导电的导线结构与该连接接合垫之间；一第一封装材料层，形成于该基板上，该第一封装材料层具有一所欲厚度，其中该第一封装材料层具有一开口区域而未覆盖该芯片与该连接结构；以及一第二封装材料层，填满该第一封装材料层的该开口区域，该第二封装材料层具有与第一封装材料层大体上相同的厚度。
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