[发明专利]镜像电荷效应量子元胞自动机的制作方法无效
| 申请号： | 200510070604.4 | 申请日： | 2005-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1866464A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 汪艳贞;吴南健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种镜像电荷效应量子元胞自动机的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成一个厚度可以控制的绝缘层；用晶片键合工艺将半导体层键合到带有绝缘层的衬底上；利用智能切断或研磨等工艺将半导体层减薄到100nm以下的厚度；按量子元胞自动机器件和电路的要求，采用刻蚀工艺将半导体层刻蚀成量子点阵列，该量子点阵列包括多个元胞单元，每一元胞单元包括四个量子点；采用氧化和淀积工艺在量子点周围形成氧化层，制成镜像电荷效应量子元胞自动机，每个元胞中有两个电子；利用扫描隧穿电镜和原子力显微镜，注入额外的电子，当电子注入后，衬底上就会同时形成等量的镜像正电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 效应 量子 自动机 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种镜像电荷效应量子元胞自动机的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在衬底上形成一个厚度可以控制的绝缘层；2)用晶片键合工艺将半导体层键合到带有绝缘层的衬底上；3)利用智能切断或研磨等工艺将半导体层减薄到100nm以下的厚度；4)按量子元胞自动机器件和电路的要求，采用刻蚀工艺将半导体层刻蚀成量子点阵列，该量子点阵列包括多个元胞单元，每一元胞单元包括四个量子点；5)采用氧化和淀积工艺在量子点周围形成氧化层，制成镜像电荷效应量子元胞自动机，每个元胞中有两个电子；6)利用扫描隧穿电镜和原子力显微镜，注入额外的电子，当电子注入后，衬底上就会同时形成等量的镜像正电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
