[发明专利]沟槽绝缘方法有效
| 申请号： | 200510070458.5 | 申请日： | 2005-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1862777A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 丁玮祺;吴俊元 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/76;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种沟槽绝缘工艺，包括：提供一半导体基底，具有上表面以及背面；于该半导体基底的该上表面形成一第一硅氧层以及一第一氮化硅层，同时，于该半导体基底的该背面形成一第二硅氧层以及一第二氮化硅层；进行一光刻工艺以及一蚀刻工艺，利用该第一氮化硅层作为蚀刻屏蔽，在该半导体基底的该上表面形成一沟槽；于沟槽内填入绝缘材料，且该绝缘材料覆盖该半导体基底的该上表面的该第一氮化硅层；利用该绝缘材料为蚀刻屏蔽，蚀刻掉该半导体基底的该背面的该第二氮化硅层；进行一致密化工艺，致密化该绝缘材料；以及进行一化学机械研磨工艺，以该第一氮化硅层为研磨停止层，将该半导体基底上的该绝缘材料研磨平整。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 绝缘 方法 | ||
【主权项】：
1、一种沟槽绝缘方法，包括：提供一半导体基底，具有上表面以及背面；于该半导体基底的该上表面形成一第一硅氧层，同时，于该半导体基底的该背面形成一第二硅氧层；于该半导体基底的该上表面形成一第一氮化硅层，同时，于该半导体基底的该背面形成一第二氮化硅层；进行一光刻工艺以及一蚀刻工艺，利用该第一氮化硅层作为蚀刻屏蔽，在该半导体基底的该上表面形成一沟槽；于沟槽内填入绝缘材料，且该绝缘材料覆盖该半导体基底的该上表面的该第一氮化硅层；利用该绝缘材料为蚀刻屏蔽，蚀刻掉该半导体基底的该背面的该第二氮化硅层；进行一致密化工艺，致密化该绝缘材料；以及进行一化学机械研磨工艺，以该第一氮化硅层为研磨停止层，将该半导体基底上的该绝缘材料研磨平整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
