[发明专利]互补金属－氧化物－半导体结构及其制作方法

摘要

提供了一种用于互补金属－氧化物－半导体(CMOS)结构中的绝缘中间层，用来防止不希望的阈值电压与平带电压的偏移。此绝缘中间层位于介电常数大于4.0的栅介电层与含Si栅极导体之间。本发明的绝缘中间层为任何金属氮化物，它也可可选地含氧，能够稳定阈值与平带电压。在优选实施方式中，绝缘中间层为氮化铝或氮氧化铝，栅介电层为氧化铪、铪硅酸盐或氮氧化硅铪。本发明对稳定p型场效应晶体管的阈值与平带电压是特别有效的。

主权项

1.一种互补金属-氧化物-半导体结构，包括：半导体衬底，其中含有源和漏扩散区，所述源和漏扩散区被器件沟道隔开；以及位于器件沟道上面的栅极叠层，所述栅极叠层包括高κ栅介电层、绝缘中间层和含Si栅极导体，所述绝缘中间层位于所述高κ栅介电层和含Si栅极导体之间，并能使此结构的阈值电压与平带电压稳定为目标值。