[发明专利]电可擦编程只读存储器单元的制造方法

摘要

本发明公开了一种制造EEPROM单元的方法，该方法包括：在半导体衬底上生长第一氧化物层；在第一氧化物层上形成第一导电层；通过构图第一导电层和第一氧化物层形成第一导电图案和隧道氧化物层，隧道氧化物层位于第一导电图案下；在第一导电图案的侧壁上形成栅极氧化物层且在第一导电图案的两侧形成第二导电图案；通过电连接第一和第二导电图案形成浮动栅极的导电层；在浮动栅极的导电层上形成耦合氧化物层；在耦合氧化物层上形成第三导电层；和通过构图第三导电层、耦合氧化物层和浮动栅极的导电层形成彼此隔开的选择晶体管和控制晶体管，其中在隧道氧化物层上形成包括栅极叠层的选择晶体管，且控制晶体管包括栅极叠层。

主权项

1.一种制造电可擦编程只读存储器单元的方法。所述方法包括：在半导体衬底上生长第一氧化物层；在所述第一氧化物层上形成第一导电层；通过构图所述第一导电层和所述第一氧化物层形成第一导电图案和隧道氧化物层，所述隧道氧化物层位于所述第一导电图案之下；在所述衬底上和所述第一导电图案的侧壁上形成栅极氧化物层，且在所述第一导电图案的两侧形成第二导电图案；通过电连接所述第一导电图案和所述第二导电图案形成用于浮动栅极的导电层；在所述浮动栅极的导电层上形成耦合氧化物层；在所述耦合氧化物层上形成第三导电层；和通过构图所述第三导电层、所述耦合氧化物层和所述用于浮动栅极的导电层形成选择晶体管和控制晶体管，其中所述选择晶体管从所述控制晶体管隔开，其中在所述隧道氧化物层上形成选择晶体管，且所述选择晶体管包括由选择栅极、第一耦合氧化物图案和第一浮动栅极形成的栅极叠层，以及其中控制晶体管包括由控制栅极、第二耦合氧化物图案和第二浮动栅极形成的栅极叠层。