[发明专利]固态成像装置无效

专利信息
申请号: 200510068774.9 申请日: 2005-05-10
公开(公告)号: CN1697194A 公开(公告)日: 2005-11-16
发明(设计)人: 立川景士 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/148 分类号: H01L27/148;H04N5/335
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在半导体衬底(1)上设置用于垂直传输信号电荷的垂直传输电荷耦合装置、用于接收和水平传输所传输的信号电荷的水平传输电荷耦合装置(6)、多余电子扫除器(12)以及水平传输电荷耦合装置(6)和多余电子扫除器(12)之间的势垒。该势垒包括第一n型扩散层(10)、与其一端接触的第二n型扩散层(9)以及与其另一端接触的第三n型扩散层(11)。第二n型扩散层(9)和第三n型扩散层(11)的杂质浓度比第一n型扩散层(10)的杂质浓度更高。结果,使固态成像装置的多余电子扫除器扫除多余电子的能力提高,而不降低水平传输电荷耦合装置处理的电荷量,即使使用大光量信号也可以输出图像。
搜索关键词: 固态 成像 装置
【主权项】:
1、一种固态成像装置,包括:二维地设置在半导体衬底上的光电二极管;用于垂直传输从该光电二极管读出的信号电荷的垂直传输电荷耦合装置;用于接收和水平传输由该垂直传输电荷耦合装置传输的信号电荷的水平传输电荷耦合装置;用于扫除多余电子的多余电子扫除器;以及在该水平传输电荷耦合装置和该多余电子扫除器之间的势垒,其中该势垒包括:选择性地形成在该半导体衬底表面上的第一n型扩散层;与该第一n型扩散层的一端接触而且杂质浓度比该第一n型扩散层的杂质浓度更高的第二n型扩散层;以及与该第一n型扩散层的另一端接触而且杂质浓度比该第一n型扩散层的杂质浓度更高的第三n型扩散层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510068774.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top