[发明专利]固态成像装置无效
申请号: | 200510068774.9 | 申请日: | 2005-05-10 |
公开(公告)号: | CN1697194A | 公开(公告)日: | 2005-11-16 |
发明(设计)人: | 立川景士 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H04N5/335 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在半导体衬底(1)上设置用于垂直传输信号电荷的垂直传输电荷耦合装置、用于接收和水平传输所传输的信号电荷的水平传输电荷耦合装置(6)、多余电子扫除器(12)以及水平传输电荷耦合装置(6)和多余电子扫除器(12)之间的势垒。该势垒包括第一n型扩散层(10)、与其一端接触的第二n型扩散层(9)以及与其另一端接触的第三n型扩散层(11)。第二n型扩散层(9)和第三n型扩散层(11)的杂质浓度比第一n型扩散层(10)的杂质浓度更高。结果,使固态成像装置的多余电子扫除器扫除多余电子的能力提高,而不降低水平传输电荷耦合装置处理的电荷量,即使使用大光量信号也可以输出图像。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 | ||
【主权项】:
1、一种固态成像装置,包括:二维地设置在半导体衬底上的光电二极管;用于垂直传输从该光电二极管读出的信号电荷的垂直传输电荷耦合装置;用于接收和水平传输由该垂直传输电荷耦合装置传输的信号电荷的水平传输电荷耦合装置;用于扫除多余电子的多余电子扫除器;以及在该水平传输电荷耦合装置和该多余电子扫除器之间的势垒,其中该势垒包括:选择性地形成在该半导体衬底表面上的第一n型扩散层;与该第一n型扩散层的一端接触而且杂质浓度比该第一n型扩散层的杂质浓度更高的第二n型扩散层;以及与该第一n型扩散层的另一端接触而且杂质浓度比该第一n型扩散层的杂质浓度更高的第三n型扩散层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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