[发明专利]溅射靶及使用该靶的溅射方法有效
| 申请号： | 200510068427.6 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1693531A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 新井真;石桥晓;小松孝;谷典明;清田淳也;太田淳;杉浦功;中村久三 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在现有技术的溅射靶构型下，在通过施加负DC电压或者高频电压到靶上产生等离子体期间，会导致电流从靶流向接地护罩。因此会产生一个问题，即由于靶的外周表面上不产生等离子体使靶外周的非腐蚀区域保留下来而不被溅射。这会由于充电诱发不正常放电，或者通过在非腐蚀区域上重沉积膜而在基片表面上形成颗粒，其对膜形成的重现性产生影响，减少靶的服务效能。这种问题能够通过本发明加以解决，其中在靶(T)体的溅射表面(Ts)和外周表面(Tc)彼此交叉的区域上形成围绕靶(T)体的倾斜表面(T2)。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有预定外形的溅射靶，其中在靶(T)体的溅射表面(Ts)和外周表面(Tc)彼此交叉的区域上围绕靶(T)体形成一个倾斜表面(T2)。
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