[发明专利]制备纳米硅基发光复合薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200510068151.1 申请日: 2005-04-29
公开(公告)号: CN1688016A 公开(公告)日: 2005-10-26
发明(设计)人: 曹则贤;王永谦;马利波;宋蕊 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;H01L33/00;C23C16/44
代理公司: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 代理人: 尹振启
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电板极板的下极板为双层筛状进气结构,两极板的板间距为2.0-2.5cm,射频信号加到下极板上,上极板接地;选用99.99%的纯硅烷、氮气和氢气的混合气体作为前驱物,基片单晶硅片放置在上极板;这样保证小功率(35W)射频输入下的薄膜制备,基片温度被控制在低于50℃,在低温基片上生长的复合薄膜中更容易存活硅颗粒,颗粒尺寸小于2.0纳米,颗粒数密度可达2.2×1013/cm2;此方法可以用于制备从红光到紫光范围可调的高效发光复合薄膜,发光效率可达10%,并且生产设备简单、经济、无污染和可靠性高。
搜索关键词: 制备 纳米 发光 复合 薄膜 方法
【主权项】:
1、一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,包括以下步骤:(1)根据已知方法对衬底进行前期处理后,将衬底固定在电容极板的上极板的下表面;电容极板位于电容耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统的真空室内;所述衬底为单晶硅片或石英玻璃;(2)将电容极板的上极板接地,将射频功率小于40W的射频信号加到下极板上,将混合气体从电容极板的下极板的下表面匀速、缓慢进入两极板之间;调节上、下极板之间的距离和工作气压大小,使两极板边缘及外侧无放电,极板间均匀放电。
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