[发明专利]制备纳米硅基发光复合薄膜的方法无效
申请号: | 200510068151.1 | 申请日: | 2005-04-29 |
公开(公告)号: | CN1688016A | 公开(公告)日: | 2005-10-26 |
发明(设计)人: | 曹则贤;王永谦;马利波;宋蕊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L33/00;C23C16/44 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 尹振启 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电板极板的下极板为双层筛状进气结构,两极板的板间距为2.0-2.5cm,射频信号加到下极板上,上极板接地;选用99.99%的纯硅烷、氮气和氢气的混合气体作为前驱物,基片单晶硅片放置在上极板;这样保证小功率(35W)射频输入下的薄膜制备,基片温度被控制在低于50℃,在低温基片上生长的复合薄膜中更容易存活硅颗粒,颗粒尺寸小于2.0纳米,颗粒数密度可达2.2×1013/cm2;此方法可以用于制备从红光到紫光范围可调的高效发光复合薄膜,发光效率可达10%,并且生产设备简单、经济、无污染和可靠性高。 | ||
搜索关键词: | 制备 纳米 发光 复合 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,包括以下步骤:(1)根据已知方法对衬底进行前期处理后,将衬底固定在电容极板的上极板的下表面;电容极板位于电容耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统的真空室内;所述衬底为单晶硅片或石英玻璃;(2)将电容极板的上极板接地,将射频功率小于40W的射频信号加到下极板上,将混合气体从电容极板的下极板的下表面匀速、缓慢进入两极板之间;调节上、下极板之间的距离和工作气压大小,使两极板边缘及外侧无放电,极板间均匀放电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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