[发明专利]集成电路结构与提供电源电压至集成电路的方法有效
申请号: | 200510067848.7 | 申请日: | 2005-04-28 |
公开(公告)号: | CN1700469A | 公开(公告)日: | 2005-11-23 |
发明(设计)人: | 侯永清;田丽钧;萧庆和;游万斌;郑嘉麟;鲁立忠 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于集成电路结构与提供电源电压至集成电路的方法,所述供应电压至集成电路的方法。一高电压VddH以及/或一低电压VddL可被供应至一注入单元并被导引至其余单元。电压VddH与VddL当中的每一电压是经由一第一电压供应线与一第二电压供应线当中之一传达。一电压选路线导引所需电压至一注入单元。该第一与第二电压供应线较佳上是平行于该电压选路线互相平行,而且其边缘与该电压选路线的边缘大体上校准。形成通孔以导引该所需电压。并且较佳上,第一电压供应线是一形成于该注入单元范围外的M1导线,而该第二电压供应线是一形成于该注入单元范围内的M2导线。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 结构 提供 电源 电压 方法 | ||
【主权项】:
1、一种集成电路结构,其特征在于所述集成电路结构包括:一注入单元,该注入单元包括一N阱;一电压选路线,该电压选路线设置于一第一金属层内并位于该注入单元的边界内;一导线组,包括一第一电压供应线以传达一第一电压与一第二电压供应线以传达一第二电压,其中该第一与第二电压供应线各自于一金属层内形成,该金属层是选自一第二金属层与一第三金属层所组成的群组;其中该第一与第二电压供应线互相平行并具有一间距,该间距等于该电压选路线的线宽;其中该第一与第二电压供应线当中的每一电压供应线皆具有一边缘与该电压选路线的一边缘彼此校准;以及一通孔,用以将该电压选路线连接至该导线组内的该第一与第二电压供应线当中之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510067848.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:运动球拍,尤其是网球拍
- 下一篇:塑料成形用金属模
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的