[发明专利]用于抛光半导体薄层的氧化铈浆料无效
| 申请号： | 200510067780.2 | 申请日： | 2005-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1680510A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 赵允珠;郑钟植;崔东泉 | 申请（专利权）人： | 三星康宁株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种不附聚的氧化铈含水浆料，其具有良好的分散稳定性和优异的抛光生产率并产生较少的划痕，其包含体积平均颗粒尺寸为0.1到0.2μm的氧化铈颗粒，且其特征在于当在1970g0的平均离心力(g)的作用下离心2分钟后，所述含水浆料中的固体含量降低20重量％或更少，其中g0代表重力加速度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛光 半导体 薄层 氧化 浆料 | ||
【主权项】：
1.一种用于抛光半导体薄层的氧化铈含水浆料，其包含体积平均颗粒尺寸为0.1到0.2μm的氧化铈颗粒，该浆料的特征在于当在1970g0的平均离心力(g)的作用下离心2分钟后，所述含水浆料中的固体含量降低20重量％或更少，其中g0代表重力加速度。
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