[发明专利]多透射相位掩模和使用其的曝光方法无效
| 申请号： | 200510067442.9 | 申请日： | 2005-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1794085A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 朴赞河 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多透射相位掩模和使用该掩模的曝光方法。所述掩模包括：透明衬底；光屏蔽膜，形成于透明衬底上且界定光透射区和光屏蔽区；和在光透射区的预定部分上形成的反相区以允许光以反相从中透射。在该方法中，由曝光光通过改进的照明系统照射于多透射相位掩模，在晶片上曝光半导体二极管的图案，所述照明系统包括至少两个极，每个具有预设的开口角度。依据本发明，可以防止缺陷的发生，在所述缺陷中，存储节点接触图案的图案单元没有规则地在晶片上敞开，或者其中图案单元彼此桥接。 | ||
| 搜索关键词： | 透射 相位 使用 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于曝光设备的多透射相位掩模，包括：透明衬底；光屏蔽膜，形成于所述透明衬底上且界定光透射区和光屏蔽区；和反相区，形成于所述光透射区的预定部分上以允许曝光光以反相从其透射。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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