[发明专利]半导体元件的制造方法及调整元件沟道区晶格距离的方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，其是先于衬底上形成数个栅极结构。然后，于各个栅极结构侧边的衬底中形成对应的源极区与漏极区。之后，于衬底上形成自对准金属硅化物阻挡层，覆盖栅极结构与裸露的衬底表面。接着，进行退火工艺，且在进行退火工艺时，自对准金属硅化物阻挡层会产生张应力，而使得位于栅极结构下方的衬底受到张应力。继之，移除部分的自对准金属硅化物阻挡层，而裸露出一部分的栅极结构与部分的衬底表面。随后，进行自对准金属硅化物工艺。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，包括：于一衬底上形成多个栅极结构；于各该栅极结构侧边的该衬底中形成对应的一源极区与一漏极区；于该衬底上形成一自对准金属硅化物阻挡层，覆盖该些栅极结构与裸露的该衬底表面；进行一退火工艺，且在进行该退火工艺时，该自对准金属硅化物阻挡层会产生张应力，而使得位于该些栅极结构下方的该衬底受到张应力；移除部分该自对准金属硅化物阻挡层，而裸露出一部分的该些栅极结构与部分的该衬底表面；以及进行一自对准金属硅化物工艺。