[发明专利]制备纳米线的方法无效
| 申请号： | 200510067231.5 | 申请日： | 2005-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1696358A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李常贤;郑太远;许廷娜 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用晶体结构制备纳米线的方法。在该制备纳米线的方法中，使用具有多个晶面的晶粒作为籽晶，在所述晶粒上沉积晶格常数差异在预定范围之内的晶体生长材料，由此允许从至少一个晶面上生长纳米线。所以，使用晶体生长原理通过简单的方法可以产生位置选择性，并且产生具有好结晶度的比如纳米线等的纳米结构。此外，通过调节用作籽晶的晶粒的特征可以产生具有不同形状的异质结结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备纳米线的方法，其中，使用具有多个晶面的晶粒用作籽晶，将晶格常数差异在预定范围之内的晶体生长材料沉积在所述晶粒上，由此使得所述纳米线从至少一个所述晶面上生长。
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