[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510067204.8 | 申请日： | 2005-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1697196A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 神野洋平;渡边康子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12;G09F9/30;G09G3/38;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在为TFT配备LDD区的情形中，必需单独形成将作为掩模的绝缘膜或设计栅电极层的形状，以便使注入半导体膜的杂质浓度不同；因此，构图步骤的数目必然增加，并且步骤变得复杂。按照本发明一个特征的半导体器件包括半导体层，该半导体层包括沟道区、一对杂质区和一对低浓度杂质区；以及具有膜厚度不均匀的单层结构或层叠结构的栅电极层，通过将栅绝缘膜夹在栅电极层与半导体层之间，栅电极层与半导体层发生接触。具体地说，通过采用微滴排放法，能够容易地形成膜厚度不均匀的栅电极层；因此，微滴排放法的便利性得以充分利用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：半导体层，所述半导体层包括沟道区、一对杂质区和一对低浓度杂质区；以及宽度不同的多个栅电极层，通过将栅绝缘膜夹在所述半导体层与所述栅电极层之间，而使所述栅电极层与所述半导体层发生接触，其中所述的一对低浓度杂质区被形成为与所述多个栅电极层的膜厚度减小的部分重叠。
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