[发明专利]固体摄像装置无效

专利信息
申请号: 200510066870.X 申请日: 2005-04-29
公开(公告)号: CN1694261A 公开(公告)日: 2005-11-09
发明(设计)人: 山口铁也;后藤浩成;绫部昌之;井原久典 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/10;H04N5/335
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 黄剑锋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 固体摄像元件,包含第1导电型的半导体衬底。晶体管设在衬底表面上。晶体管包含设在衬底上方的第1栅极电极、第1杂质区、第2杂质区。第1杂质区及第2杂质区形成于衬底表面内,夹持第1栅极电极的下方区域。第2导电型的第3杂质区形成于衬底表面,在第2杂质区的与第1栅极电极相反一侧和第2杂质区分开。第4杂质区形成于第2杂质区的下方,和第3杂质区相连。第2栅极电极设在衬底上方。第2导电型的第5杂质区,形成于衬底表面。第3杂质区及第5杂质区夹持第2栅极电极的下方区域。
搜索关键词: 固体 摄像 装置
【主权项】:
1.一种固体摄像装置,其特征在于,具备:第1导电型的半导体衬底(20);设在上述衬底表面上的晶体管,其中上述晶体管包含设在上述衬底上方的第1栅极电极(34)、第1杂质区(31)和第2杂质区(35),上述第1杂质区及上述第2杂质区形成于上述衬底的表面内且夹持上述第1栅极电极的下方的区域;形成于上述衬底表面上的第2导电型的第3杂质区(41),上述第3杂质区在与上述第1栅极电极相反一侧和上述第2杂质区分开;形成于上述第2杂质区下方的第4杂质区(42),上述第4杂质区与上述第3杂质区连接;设在上述衬底上方的第2栅极电极(44);形成于上述衬底表面上的第2导电型的第5杂质区(45),上述第3杂质区及上述第5杂质区夹持上述第2栅极电极的下方的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510066870.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top