[发明专利]固体摄像装置无效
| 申请号: | 200510066870.X | 申请日: | 2005-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN1694261A | 公开(公告)日: | 2005-11-09 |
| 发明(设计)人: | 山口铁也;后藤浩成;绫部昌之;井原久典 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/10;H04N5/335 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 黄剑锋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 固体摄像元件,包含第1导电型的半导体衬底。晶体管设在衬底表面上。晶体管包含设在衬底上方的第1栅极电极、第1杂质区、第2杂质区。第1杂质区及第2杂质区形成于衬底表面内,夹持第1栅极电极的下方区域。第2导电型的第3杂质区形成于衬底表面,在第2杂质区的与第1栅极电极相反一侧和第2杂质区分开。第4杂质区形成于第2杂质区的下方,和第3杂质区相连。第2栅极电极设在衬底上方。第2导电型的第5杂质区,形成于衬底表面。第3杂质区及第5杂质区夹持第2栅极电极的下方区域。 | ||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像装置,其特征在于,具备:第1导电型的半导体衬底(20);设在上述衬底表面上的晶体管,其中上述晶体管包含设在上述衬底上方的第1栅极电极(34)、第1杂质区(31)和第2杂质区(35),上述第1杂质区及上述第2杂质区形成于上述衬底的表面内且夹持上述第1栅极电极的下方的区域;形成于上述衬底表面上的第2导电型的第3杂质区(41),上述第3杂质区在与上述第1栅极电极相反一侧和上述第2杂质区分开;形成于上述第2杂质区下方的第4杂质区(42),上述第4杂质区与上述第3杂质区连接;设在上述衬底上方的第2栅极电极(44);形成于上述衬底表面上的第2导电型的第5杂质区(45),上述第3杂质区及上述第5杂质区夹持上述第2栅极电极的下方的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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