[发明专利]检测管缝缺陷的方法无效
| 申请号： | 200510065582.2 | 申请日： | 2005-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1855410A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 纪儒兴;吴坤荣;余彬源;林裕记;林雍秩 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种检测管缝缺陷的方法，包括：提供一半导体基底，其上具有一有源区与一绝缘区；于上述半导体基底上形成多个半导体元件，并沉积一介电层覆盖于上述半导体基底与半导体元件上；于上述介电层中形成一第一与一第二接触插塞以分别连接上述半导体基底的有源区与绝缘区，并以电子束照射于上述第一及第二接触插塞，使电荷累积于连接上述绝缘区的第二接触插塞，通过第一及第二接触插塞的亮度对比，判断两者间是否形成管缝缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测管缝缺陷的方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，其上具有一有源区与一绝缘区；于该半导体基底上形成多个半导体元件；沉积一介电层覆盖于上述半导体基底与半导体元件上；于该介电层中形成一第一与一第二接触插塞分别连接该有源区与该绝缘区；以及以电子束照射于上述第一及第二接触插塞，使电荷累积于连接上述绝缘区的第二接触插塞，通过第一及第二接触插塞的亮度对比，判断两者间是否形成管缝缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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