[发明专利]制造应变含硅混合衬底的方法以及含硅混合衬底

摘要

提供了制作应变含硅混合衬底的方法以及用此方法制作的应变含硅混合衬底。在本发明的方法中，应变硅层被形成来覆盖再生长的半导体材料、第二半导体层、或二者。根据本发明，应变硅层的晶向与再生长的半导体层或第二半导体层的晶向相同。此方法提供了一种混合衬底，其中至少一个器件层包括应变硅。

主权项

1.一种制造应变含硅混合衬底的方法，它包含下列步骤：提供混合衬底，它包含第一晶向的第一半导体层、位于第一半导体层表面上的埋置绝缘层、以及位于所述埋置绝缘层上的不同于第一晶向的第二晶向的第二半导体层；提供延伸到第一半导体层表面的开口；以及在所述开口中的所述第一半导体层上进行半导体材料再生长，所述半导体材料具有第一晶向，但须形成应变硅层来覆盖第二半导体层或再生长的半导体材料至少之一，所述硅层具有与所述下方第二半导体层或再生长的半导体材料匹配的晶向。