[发明专利]半导体器件的凸点结构和制造方法无效
| 申请号： | 200510064958.8 | 申请日： | 2005-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1684253A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 权容焕;李忠善;姜思尹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/28;H01L21/44;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件和制造该器件的方法，该器件使用凸点结构，其包括多个第一方向上沿衬底排列的凸点结构。每个凸点结构在第一方向上具有的宽度大于相继排列的凸点结构之间的间距，且至少一个凸点结构具有面对第一方向的非导电侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：沿衬底在第一方向上排列的多个凸点结构，每个凸点结构在第一方向上的宽度大于相继排列的凸点结构之间的间距，且至少一个凸点结构具有在第一方向上面对的非导电侧壁。
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