[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510064286.0 | 申请日： | 2005-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1684272A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 粉谷直树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件，作为周边用MISTr25b，包括：形成在活性区域10b上的栅极绝缘膜13b和栅电极14b；形成在栅电极14b的侧面上的第一侧壁19b和第二侧壁23b；在活性区域不靠在一起的n型源极·漏极区域24b；形成在位于栅电极14b的外侧侧向下方的氮扩散层18b；形成在活性区域10b中栅电极14b的外侧侧向下方的区域覆盖着氮扩散层18b的内侧侧面及底面、含砷的n型延伸区域16；以及形成在活性区域10b中位于栅电极14b的外侧侧向下方的区域，比n型延伸区域16还深、含磷的n型杂质区域17。于是，能够提供一种充分确保热载流子寿命、可靠性高的半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其具有设置在半导体层的第一MIS型晶体管，其特征在于：所述第一MIS型晶体管，包括：形成在所述半导体层上的第一栅极绝缘膜，形成在所述第一栅极绝缘膜上的第一栅极，形成在所述半导体层中位于所述第一栅极绝缘膜的侧下方的区域、含有第一导电型的第一杂质的第一延伸区域，形成在所述半导体层中位于所述第一栅极绝缘膜的侧下方的区域、比所述第一延伸区域还深、含有第一导电型的第二杂质的杂质区域，以及形成在所述第一延伸区域的上侧表面部分的氮扩散层。
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