[发明专利]芯片保险丝的制造方法及其成品有效
| 申请号： | 200510064264.4 | 申请日： | 2005-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1848378A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡淑燕;郭文昌;林育民;曾亮瑞;游宏钧;蔡承琪;庄弘毅;江财宝 | 申请（专利权）人： | 大毅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3205;H01L23/58 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 | 代理人： | 徐小琴 |
| 地址： | 台湾省桃园县芦竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种芯片保险丝的制造方法，先形成一隔热层于一基板的上表面，再依序于隔热层上形成一第一金属层、一扩散缓冲层及一第二金属层来作为保险丝部，而后再形成一保护层于基板的上表面上以覆盖第二金属层与扩散缓冲层，及形成两端电极于基板的两端部，以利用扩散缓冲层来抑制第二金属层于工作时不当扩散，进而延长产品寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 保险丝 制造 方法 及其 成品 | ||
【主权项】：
1.一种芯片保险丝的制造方法，其特征在于其包含：(A)形成一隔热层于一基板的上表面，隔热层的面积小于基板的上表面；(B)形成一第一金属层于隔热层上，且第一金属层的两端是延伸出隔热层而位于基板上；(C)形成一扩散缓冲层于第一金属层中位于隔热层上方的部分上；(D)形成一第二金属层于扩散缓冲层上，第二金属层的熔点低于第一金属层的熔点；(E)形成一保护层于基板的上表面上以覆盖第二金属层与扩散缓冲层；及(F)形成两端电极于基板的两端部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
