[发明专利]半导体器件的制造方法及通过该方法制造的半导体有效
| 申请号： | 200510064064.9 | 申请日： | 2005-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1716552A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 雷米什·卡卡德;金容奭 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/205;H01L21/324;H01L21/8234;H01L29/786;G02F1/1368;G09G3/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体器件。所述方法包括：使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法和低压化学气相沉积(LPCVD)法中的任何一种方法在衬底上沉积包含非晶硅的硅层；在预定温度下、H2O气氛中退火所述硅层，以形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；在所述多晶硅层中形成杂质区以界定所述源极区和漏极区；以及激活所述杂质区。因此，可以提供一种半导体器件，其中防止了衬底弯曲并且构成半导体层的多晶硅极佳。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 通过 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：使用等离子体增强化学气相沉积法或低压化学气相沉积法在衬底上沉积包含非晶硅的硅层；在预定温度下、H2O气氛中退火所述硅层，以形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；在所述多晶硅层中形成杂质区以界定源极区和漏极区；以及激活所述杂质区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
