[发明专利]显示装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510063259.1 | 申请日： | 2005-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1681361A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 山田努;今尾和博 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/08 | 分类号： | H05B33/08;H05B33/12;H05B3/10;G09G3/30;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种显示装置及其制造方法，可使发光组件的驱动用晶体管的图案尺寸变小，并且可提升显示像素的开口率。驱动用TFT(85)的第二主动层(111)由层积的两层多晶硅层(102P、103P)所构成。上层的多晶硅层(103P)是与构成像素选择用TFT(10)的第一主动层(110)的多晶硅层同时堆积而成的，因此与该多晶硅层具有相同膜厚。因此，第二主动层(111)形成与下层的多晶硅层(102P)的膜厚程度的厚度。第二主动层(111)的平均结晶粒径比第一主动层(110)的平均结晶粒径小。因此，驱动用TFT(85)的载流子迁移率比像素选择用TFT(10)的载流子迁移率小。由此，可实现驱动用TFT(85)的短沟道化。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，其具有多个像素，各像素具有：接受电流的供给而发光的发光组件；依据栅极信号选择各像素的像素选择用晶体管；及依据经由前述像素选择用晶体管所提供的显示信号将电流提供到前述发光组件的驱动用晶体管；再者，前述像素选择用晶体管具有：由半导体材料所构成的第一主动层；及夹着第一栅极绝缘层而形成在该第一主动层上的第一栅极电极；前述驱动用晶体管具有：由半导体材料所构成的第二主动层；及夹着第二栅极绝缘层而形成在该第二主动层上的第二栅极电极；前述第二主动层具有与前述第一主动层不同的膜厚，且构成前述第二主动层的前述半导体材料的平均结晶粒径比构成前述第一主动层的前述半导体材料的平均结晶粒径更小。
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