[发明专利]利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法无效
| 申请号： | 200510062743.2 | 申请日： | 2005-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1840747A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 沈文娟;曾一平;王俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/48;H01L21/365 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取一衬底；(2)在该衬底上的硅(001)晶面上采用磁控溅射的方法低温生长氧化锌缓冲层；(3)在氧化锌缓冲层上，采用MOCVD方法低温生长氧化锌外延薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氧化锌 缓冲 生长 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取一衬底；(2)在该衬底上的硅(001)晶面上采用磁控溅射的方法低温生长氧化锌缓冲层；(3)在氧化锌缓冲层上，采用MOCVD方法低温生长氧化锌外延薄膜。
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