[发明专利]半导体用冷却器及半导体用冷却器层叠体无效

专利信息
申请号: 200510062477.3 申请日: 2005-03-28
公开(公告)号: CN1841866A 公开(公告)日: 2006-10-04
发明(设计)人: 吉冈丰吉;山冈孝之;妹尾聪 申请(专利权)人: 株式会社泰克尼思科
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01L23/34
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 陈伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体用冷却器,在半导体用冷却器上不会发生歪斜,同时,当在半导体芯片以及半导体用冷却器上产生热膨胀时,能够防止半导体芯片从半导体用冷却器上脱离。该半导体用冷却器,至少包含有上部板(100a)、中间板(3)及下部板(200a),具有冷却介质的入口部(101)、出口部(202)和流路部(31),用于冷却半导体芯片,上部板(100a)及该下部板(200a)是在辅助板的单面或者双面上镀上厚度大于等于0.05mm的铜而构成的复合板,所述辅助板是由拉伸强度大于等于1000N/mm2热传导率大于等于100W/m·K、热膨胀率小于等于6.0ppm/℃的材料构成的。
搜索关键词: 半导体 冷却器 层叠
【主权项】:
1.一种半导体用冷却器,至少包含有上部板、中间板及下部板,具有冷却介质的入口部、出口部和流路部,用于冷却半导体芯片,其特征在于,该上部板及该下部板是在辅助板的单面或者双面上镀上厚度大于等于0.05mm的铜而构成的复合板,所述辅助板是由拉伸强度大于等于1000N/mm2、热传导率大于等于100W/m·K、热膨胀率小于等于6.0ppm/℃的材料构成的。
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