[发明专利]高初始磁导率、低损耗NiZn铁氧体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 200510060652.5 | 申请日： | 2005-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1861546A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 何时金;包大新;张涛;葛蕴刚 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高初始磁导率、低损耗的NiZn铁氧体及其制备方法，该铁氧体主成分以氧化物计算为：Fe2O3 40～50mol％、NiO 10～18mol％、ZnO 30～38mol％、Mn3O4 0～5mol％、CuO 0～10mol％，辅助成份V2O5为0～1wt％，Mo2O3为0～0.5wt％。本发明可制备出起始磁导率大于2500、比损耗小于20×10－6(100kHz)、比温度系数小于4×10－6/℃(25～65℃)、居里温度大于100℃的高磁导率NiZn铁氧体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 初始 磁导率 损耗 nizn 铁氧体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高初始磁导率、低损耗的NiZn铁氧体材料，其主成分及含量(按摩尔百分比)以氧化物计算为：Fe2O3为44～50mol％；NiO为10～18mol％；ZnO为30～38mol％；Mn3O4为0～5mol％；(但不包括0)CuO为0～10mol％；(但不包括0)辅助成分及含量(按重量百分含量)以氧化物计算为：V2O50～1wt％，Mo2O30～0.5wt％；(但不包括0)。
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