[发明专利]垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置无效
| 申请号： | 200510060172.9 | 申请日： | 2003-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1691143A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 井原宣孝;児玉宏喜;渦卷拓也 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 党建华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置，其中能够高密度记录和再现的垂直磁存储媒体包括软磁衬垫层(12)、非磁性中间层(13)、通过设置硬磁性超微颗粒(17)形成的记录层(14)、外涂层(15)和滑性层(16)，所有这些层都以上述顺序设置在衬底(11)上，其中该超微颗粒的平均直径的范围在2纳米和10纳米之间，该超微颗粒的直径的标准偏差为超微颗粒的平均直径的10％或更小，超微颗粒的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间，并且记录层(14)的易磁化轴垂直于衬底(11)的表面，以使通过该垂直磁存储媒体能够进行高密度记录和再现。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 媒体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁存储媒体的制造方法，该垂直磁存储媒体具有通过将硬磁性超微颗粒设置在衬底上形成的记录层，该方法包括在磁场中进行热处理的过程，其中在气体环境中加热记录层，同时给记录层垂直地施加磁场，在磁场中进行的热处理过程使记录层的易磁化轴垂直于衬底表面。
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