[发明专利]真空装置、其颗粒监控方法、程序以及颗粒监控用窗口部件有效
| 申请号: | 200510060171.4 | 申请日: | 2005-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN1684236A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
| 发明(设计)人: | 守屋刚;中山博之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;F04B37/10;F04B37/14;G01N15/00;C03C4/00 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 提供一种可切实地监控包含易剥离的沉积物的颗粒,正确地评价真空装置的清洁度的真空装置及其颗粒监控方法、程序和颗粒监控用窗口部件。半导体制造装置(1000)具备用于对晶片实施制品化处理的处理室(100)。处理室(100)上部连接有设置了阀门(120)、用于导入清洗气体的吸气管线,在下部连接有设置了阀门a的预抽管线(200)。预抽管线(200)上设置有:排出处理室(100)内的气体的干式泵(220)、在阀门a和干式泵(220)之间监控颗粒的颗粒监控装置(210)。半导体制造装置(1000)通过打开阀门(120),供给清洗气体,将冲击波所产生的物理性振动赋予处理室(100)内,使沉积物剥离,监控颗粒。 | ||
| 搜索关键词: | 真空 装置 颗粒 监控 方法 程序 以及 窗口 部件 | ||
【主权项】:
1.一种真空装置,具备:形成预定空间的容器;通过预定排气管排出所述容器内气体的排气机构;至少一个设置在所述排气管上,限制所述被排出的气体流量的排气限制机构;在所述至少一个排气限制机构和所述排气机构之间,设置在所述排气管上,监控所述排气管内的颗粒的颗粒监控机构,其特征在于:具有通过预定供给管向所述容器内供给清洗气体的清洗机构;在所述清洗机构和所述容器之间,设置在所述供给管上,限制所述被供给的清洗气体流量的供给限制机构;所述供给限制机构在所述至少一个排气限制机构允许排出所述气体时,开始供给所述清洗气体;所述被监控的颗粒含有通过所述清洗气体的供给而在所述容器内游离的颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





