[发明专利]氯化铜(Ⅰ)的制造原料和方法及还原性气体吸附剂、吸附方法和一氧化碳气体的回收方法无效
申请号: | 200510059727.8 | 申请日: | 2005-03-29 |
公开(公告)号: | CN1683249A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
发明(设计)人: | 岛田孝;越智幸史 | 申请(专利权)人: | 日本派欧尼株式会社 |
主分类号: | C01G3/05 | 分类号: | C01G3/05;B01D53/04 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供不使用耐腐蚀性的制造设备和用于回收有机溶剂的设备等,需要时能够容易地制造大量氯化铜(I)的机构;使用其有效地大量吸附一氧化碳气体、乙烯气体、乙炔气体的吸附机构;以及能够有效地从上述吸附剂中脱附一氧化碳气体并容易地将其回收的回收机构。将氯化铜(II)和羧酸铜(II)混合制造氯化铜(I)的制造原料。将上述制造原料在减压下、惰性气体环境下或者还原性气体环境下进行加热处理制造氯化铜(I)。并将上述制造原料负载在载体上,进行与上述同样的加热处理制成一氧化碳气体、乙烯气体、乙炔气体的吸附剂。将吸附剂加热和/或减压,从吸附剂脱附一氧化碳气体并进行回收。 | ||
搜索关键词: | 氯化铜 制造 原料 方法 原性 气体 吸附剂 吸附 一氧化碳 回收 | ||
【主权项】:
1、一种氯化铜(I)的制造原料,其特征在于混合氯化铜(II)和羧酸铜(II)。
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