[发明专利]晶片干燥方法无效
| 申请号： | 200510059720.6 | 申请日： | 2005-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1841669A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 黎源欣;吴志鸿;许扬诗;黄汉民 | 申请（专利权）人： | 弘塑科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B08B3/04;F26B7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶片的干燥方法，利用液态挥发性溶剂(例如，异丙醇，IPA)取代清洗液以干燥晶片，至少包含下列步骤：(a)将晶片置入清洗槽；(b)调整进水口的流量控制器的流量，以清洗晶片；(c)以清洗液(例如纯水)清洗晶片，利用溢流口快速排出清洗出的微粒及残留化学品；(d)关闭进水口，打开排水口，控制排水流量将液面排至晶片上方，注入一定量的液态挥发性溶剂，以形成二液相层；(e)继续排水，至挥发性溶剂液面低于晶舟的最低位为止；(f)排出槽内余液；(g)阶段性通入室温的氮气(N2)及加温的氮气(N2)于槽中，干燥晶片上的溶剂。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 干燥 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的清洗及干燥方法，利用溢流将清洗液溢流以加速排出微粒及化学液的清洗槽，及以液态挥发性溶剂导入清洗槽以干燥晶片，至少包含下列步骤：(a)将晶片置入清洗槽；(b)调整进水口的流量控制器的流量，以清洗晶片，并调整流场以协助清洗晶片；(c)以清洗液清洗晶片，利用溢流口排出微粒及残留化学品；(d)关闭进水口，打开排水口，控制排水流量将清洗液排至晶片上方，注入一定量的液态挥发性溶剂，以形成二液相分离的溶剂层或高浓度梯度变化的溶液相；(e)继续排水，至挥发性溶剂液面低于晶舟的最低位为止；(f)排出槽内余液；(g)通入氮气于干燥槽中，干燥晶片上的溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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