[发明专利]晶片的加工方法有效
| 申请号： | 200510059595.9 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1677623A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 荒井一尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/68;H01L21/301;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 何腾云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明即使对于薄的晶片加工时也可以容易地进行处理。在晶片(W)的表面之中的、不形成器件的外周剩余区域上接合环状保护构件(12)，在该状态下保持表面侧并研削背面(Wb)。由于环状保护构件(12)增强外周，所以在由研削而变薄后，处理变得容易。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的加工方法，对晶片的背面进行加工，该晶片的表面由形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域构成，其特征在于，该方法至少由下述的工序构成；在上述外周剩余区域上接合环状保护构件的保护构件接合工序；把接合了上述环状保护构件的晶片的表面侧保持在研削装置的吸盘台上并研削该晶片背面的背面研削工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
