[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510059525.3 | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1674238A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 大汤静宪;小此木坚祐;小林宏尚;滨田耕治 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在制造半导体器件的过程中，在晶片的背面上形成第一吸杂层，然后在芯片的背面和侧表面上形成第二吸杂层，由此使得这些吸杂层作为阻止在装配工序中背面研磨之后产生的金属杂质的捕获点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其上安装了背面研磨芯片，其特征在于：所述半导体器件包括通过将杂质引入到芯片背面而得到的吸杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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