[发明专利]半导体集成电路装置、信号处理装置及FM多重数据处理装置有效
申请号: | 200510058970.8 | 申请日: | 2005-03-25 |
公开(公告)号: | CN1707794A | 公开(公告)日: | 2005-12-14 |
发明(设计)人: | 井上宏昭 | 申请(专利权)人: | 沖电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L27/14;H04B1/16;H04J1/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种半导体集成电路装置、信号处理装置及FM多重数据处理装置。本发明提供一种能够降低时钟杂讯的影响的半导体集成电路装置、搭载有该半导体集成电路的信号处理装置及FM多重数据处理电路。半导体集成电路装置(4)包括半导体基板(10a)、在其上所形成的集成电路区块(17,23)、通过第1引线端子(61)及第1接合线(11a)而输入第1时钟BPFCLK1的第1电极焊接垫(11)、将集成电路区块(17,23)和第1电极焊接垫(11)进行连接的配线线路(23,24)、配置在与半导体基板(10a)上的第1电极焊接垫(11)邻接的位置上,且不与集成电路区块(17,23)连接,并通过第2引线端子(62)及第2接合线(12a),输入具有与第1时钟BPFCLK1相同的频率且具有极性进行反转的期间的第2时钟BPFCLK2的第2电极焊接垫(12)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 信号 处理 fm 多重 数据处理 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路装置,其特征在于,其包括:半导体基板、在前述半导体基板上所形成的集成电路区块、配置在前述半导体基板上,且输入第1时钟的第1电极焊接垫、配置在前述半导体基板上,且将前述集成电路区块和前述第1电极焊接垫进行连接的配线线路、以及配置在与前述半导体基板上的前述第1电极焊接垫邻接的位置上,且不与前述集成电路区块连接,并输入具有与前述第1时钟相同的频率且具有极性进行反转的期间的第2时钟的第2电极焊接垫。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沖电气工业株式会社,未经沖电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510058970.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:加速进行的每一个流的业务量估算
- 下一篇:有机电致发光显示器和分离器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的