[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件及其制造方法。公开了一种半导体器件，其能够提高操作过程中的漏击穿电压。该半导体器件包括：第一漏区，被设置为从栅极的位于漏极侧的端部附近沿朝向漏极的方向延伸；漏接触区，形成在第一漏区内，并与漏极相接触；以及第二漏区，形成在漏接触区周围和下方。第二漏接触区具有比第一漏接触区的杂质浓度高，而比漏接触区的杂质浓度低的杂质浓度。第二漏区的位于栅极侧的端部被设置为远离栅极的端部预定距离。

主权项

1、一种半导体器件，其包括：第一导电型的半导体基底；栅绝缘膜，设置在所述半导体基底的表面上；栅极，设置在所述栅绝缘膜上；第二导电型的第一漏区，该第二导电型与相对于所述第一导电型相反的导电型相对应，该第一漏区设置在所述栅极的端部附近；第二导电型的漏接触区，设置在所述第一漏区内，该漏接触区具有比所述第一漏区的杂质浓度高的杂质浓度；以及第二导电型的第二漏区，设置在所述漏接触区周围和下方；其中所述第二漏区被配置为具有比所述漏接触区的杂质浓度低而比所述第一漏区的杂质浓度高的杂质浓度；并且所述第二漏区的位于所述栅极侧的端部被设置远离所述栅极的端部预定距离。