[发明专利]多波长发光二极体构造及其制程有效
| 申请号： | 200510056796.3 | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1838437A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 李明顺;何昌纬 | 申请（专利权）人： | 李洲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 台湾省台北市大*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明分别在相对应于发光芯片的底层以及外围以上的部位覆设有至少一种具既定波长的荧光材，在发光芯片通电作用下，分别激发其底层及外围以上部位的荧光材而形成较高发光效率及预期的出色光，由于此出色光是由发光芯片分别激发其底层部位的荧光材以及外围以上部位的荧光材所构成，因此不会发生相互干扰的现象，不但可获致较高发光效率及色泽准确的出色光，而且不同部位的荧光材份量、比例较容易控制，将有利于掌控多波长发光二极管的品质，以及大幅提升其产能。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 发光 二极体 构造 及其 | ||
【主权项】：
1、一种多波长发光二极体构造，其特征在于：在发光芯片的底层部位覆设相对波长较长的第一种荧光材，以及在发光芯片外围以上的部位覆设有相对波长较短的第二种荧光材。
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