[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200510056487.6 | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1677642A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 宫岛秀史 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括在半导体衬底上形成具有多孔结构的低介电常数绝缘膜；在低介电常数绝缘膜中形成沟槽；在具有沟槽的低介电常数绝缘膜上和沟槽中提供掩埋绝缘膜；去除在沟槽中提供的掩埋绝缘膜，由此打开沟槽；以及在沟槽中掩埋导体材料，形成导体部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成具有多孔结构的低介电常数绝缘膜；在所述低介电常数绝缘膜中形成沟槽；在具有所述沟槽的低介电常数绝缘膜上和所述沟槽中提供掩埋绝缘膜；去除在所述沟槽中提供的掩埋绝缘膜，由此打开所述沟槽；以及在所述沟槽中掩埋导体材料，形成导体部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510056487.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
