[发明专利]制造半导体器件的方法以及采用该方法获得的半导体器件

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件(10)的方法，该方法在半导体基体(1)设置了第一导电类型的源极(2)和漏极(3)以及第二导电类型的沟道(4)，第一导电类型不同于第二导电类型，沟道(4)在源极和漏极之间，第一和第二栅极(5A，5B)分别采用各自的栅极介质(6A，6B)与沟道相分离且位于沟道的两侧，且这两个栅极都形成在半导体基体中所形成的沟槽(7)中。第一和第二栅极分别形成在第一和第二沟槽(7A，7B)中，沟道(4)由第一和第二沟槽之间的部分半导体基体所形成，并且源极和漏极形成在半导体基体的表面上。采用这种方法，可以相当简单且具有与现有CMOS技术良好兼容性的方法获得双栅极晶体管。本发明也包括这类结构的器件。

主权项

1.一种制造包括双栅极场效应晶体管的半导体器件(10)的方法，在该方法中：具有表面的硅半导体基体(1)具备第一导电类型的源极区域(2)和漏极区域(3)以及第二导电类型的沟道区域(4)，第一导电类型不同于第二导电类型，沟道区域(4)在源极区域(2)和漏极区域(3)之间，以及具备第一栅极区域(5A)，它通过第一栅极介质(6A)与沟道区域(4)相分离且位于沟道区域(4)的一侧，以及具备第二栅极区域(5B)，它通过第二栅极介质(6B)与沟道区域(4)相分离且位于沟道区域(4)的另一侧，并且两个栅极区域(5A，5B)都形成在半导体基体(1)中所形成的沟槽(7)中；其中，第一栅极区域(5A)形成在第一沟槽(7A)中，第二栅极区域(5B)形成在第二沟槽(7B)中，沟道区域(4)由第一和第二沟槽(7A，7B)之间的部分半导体基体(1)所形成，并且源极区域和漏极区域(2，3)形成在半导体基体(1)的表面上。