[发明专利]沟道中具浅锗注入区的晶体管有效
| 申请号： | 200510056031.X | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1674300A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李鸿祺 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及制造晶体管的方法与晶体管结构，其中以低能量而在晶体管的沟道区域中注入具有高掺质浓度锗的一个非常浅区域，在工作部件的顶部表面中形成无定形锗注入区域，以及在所述无定形锗注入区域下形成一晶体锗注入区域。使用低温退火所述工作部件，以将所述无定形者区域转换为晶体状态，而避免过量的锗进一步扩散至所述工作部件中，亦移除由注入程序所造成的工作部件损害。所得的结构包含位于沟道的顶部表面的一晶体锗注入区域，其深度在所述工作部件顶部表面下约120埃或更小。所述晶体管具有较佳的迁移率以及较低的有效氧化物厚度(EOT)。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 中具浅锗 注入 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其包含：一工作部件，所述工作部件包含一顶部表面；一晶体注入区域，其位于所述工作部件中，所述晶体注入区域包含锗，其中所述晶体注入区域于所述工作部件中自所述工作部件的顶部表面延伸约120埃或更少；一栅极介电质，其是沉积于所述晶体注入区域；一栅极，其沉积于所述栅极介电质上；以及一源极区域以及一漏极区域，其至少形成于所述工作部件中的所述晶体注入区域中。
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