[发明专利]半导体装置中的散热系统及方法有效
| 申请号： | 200510055825.4 | 申请日： | 2005-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1670957A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;叶俊麟;郑心圃;郑义荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/52;H01L23/34;H01L21/82;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;郑特强 |
| 地址： | 台湾省新竹市新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种于半导体装置中散热的方法及系统。于一实施例中，一种集成电路半导体装置包含一半导体衬底；一个或多个连接于该半导体衬底的冶金层，其中该一个或多个冶金层中的每一个具有：一条或多条导线及在该一条或多条导线间的一个或多个仿结构，并且一个或多个仿结构中的至少二者经连接；以及一个或多个介电层，位于该一个或多个冶金层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 中的 散热 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路半导体装置，其包含：一半导体衬底；一个或多个连接于该半导体衬底的冶金层，其中该一个或多个冶金层中的每一个具有一条或多条导线，且在该一条或多条导线间具有一个或多个仿结构，其中来自不同冶金层的该一个或多个仿结构中的至少二者经热连接；以及一个或多个介电层，位于该一个或多个冶金层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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