[发明专利]包含磁致电阻元件的半导体存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510054834.1 | 申请日： | 2005-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1670859A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 福住嘉晃 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种包含磁致电阻元件的半导体存储装置及其制造方法。该半导体存储装置包括：第一布线；第二布线；存储单元；以及接触栓塞。在层间绝缘膜中形成第一布线。在层间绝缘膜上形成第二布线。存储单元包含在第二布线上形成的第一铁磁性膜、在第一铁磁性膜上形成的隧道阻挡膜、以及在隧道阻挡膜上形成的第二铁磁性膜。在第一布线上形成接触栓塞，它连接第一布线和第二布线，其上表面位于比第二布线高的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 致电 元件 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储装置，其特征在于包括：在层间绝缘膜中形成的第一布线；在上述层间绝缘膜上形成的第二布线；包含在上述第二布线上形成的第一铁磁性膜、在上述第一铁磁性膜上形成的隧道阻挡膜、以及在上述隧道阻挡膜上形成的第二铁磁性膜的存储单元，以及在上述第一布线上形成，连接上述第一布线和上述第二布线，且其上表面位于比上述第二布线高的位置的接触栓塞。
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