[发明专利]半导体存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510054738.7 | 申请日： | 2005-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1722411A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 秦和宏;里真一;秋山幸春 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/8239;H01L27/115;H01L27/10;H01L29/788 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底中形成条形的多个沟槽，并且用元件隔离绝缘膜填充每个沟槽，从而形成元件隔离区；依次形成沟道绝缘膜和电荷储存膜，以便覆盖元件隔离区之间的有源区；在电荷储存膜上形成层间绝缘膜；在垂直于沟槽纵向的方向上在层间绝缘膜上形成多个控制栅；在多个控制栅之间交替提供的源极形成区和漏极形成区当中，使用在源极形成区中具有开口的抗蚀剂膜作掩模，刻蚀源极形成区中的元件隔离绝缘膜，以便露出沟槽的表面；和在源极形成区上进行各向同性等离子体离子注入，从而在沟槽的表面中和在有源区中形成源极扩散层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底中形成条形的多个沟槽，并且用元件隔离绝缘膜填充每个沟槽，从而形成元件隔离区；依次形成沟道绝缘膜和电荷储存膜，以便覆盖元件隔离区之间的有源区；在电荷储存膜上形成层间绝缘膜；在垂直于沟槽纵向的方向上在层间绝缘膜上形成多个控制栅；在多个控制栅之间交替提供的源极形成区和漏极形成区当中，使用在源极形成区中具有开口的抗蚀剂膜作掩模，刻蚀源极形成区中的元件隔离绝缘膜，以便露出沟槽的表面；和在源极形成区上进行各向同性等离子体离子注入，从而在沟槽的表面中和在有源区中形成源极扩散层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510054738.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有尾部延长器的光纤连接器模块
- 下一篇：具有抛光和接地底面部分的半导体芯片
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
