[发明专利]垂直结构的半导体芯片或器件（包括高亮度LED）有效
| 申请号： | 200510053960.5 | 申请日： | 2005-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1674312A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 彭晖;彭一芳 | 申请（专利权）人： | 金芃 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100871北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明展示垂直结构的半导体芯片(包括GaN基和GaInPN基LEDs)及其批量生产的方法。批量生产方法包括下述工艺步骤：外延生长中间媒介层于生长衬底上，外延生长第一类型限制层于中间媒介层上，层叠反射/欧姆层于第一类型限制层上，层叠导电的支持衬底于反射/欧姆层上，剥离生长衬底(蓝宝石生长衬底可以利用激光或者机械研磨/抛光方法剥离，氧化镁或氧化锌生长衬底可以利用机械研磨/抛光方法剥离)，第一类型限制层暴露，外延生长发光层和第二类型限制层于暴露的第一类型限制层上，层叠第二电极于第二类型限制层上。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 半导体 芯片 器件 包括 亮度 led | ||
【主权项】：
1.一种批量生产垂直结构的半导体芯片或器件的方法包括下述工艺步骤：-提供一个生长衬底；-层叠第一类型限制层于所述的生长衬底上；-层叠导电的支持衬底于所述的第一类型限制层上，因此形成键合晶片；所述的导电的支持衬底的暴露的一面作为第一电极；-从键合晶片上剥离所述的生长衬底，使得第一类型限制层暴露；-外延生长发光层和第二类型限制层于所述的暴露的第一类型限制层上；-层叠具有优化图形的第二电极于所述的第二类型限制层上，所述的第二电极具有至少一个打线焊点。
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