[发明专利]一种液晶显示装置及其下基板的制造方法有效
申请号: | 200510053765.2 | 申请日: | 2005-03-11 |
公开(公告)号: | CN1651985A | 公开(公告)日: | 2005-08-10 |
发明(设计)人: | 陈建宏;陈立凯 | 申请(专利权)人: | 广辉电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G03F7/20;H01L21/027;G02F1/136;H01L29/786 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种液晶显示装置及其下基板的制造方法,包含:(a)提供一表面具有一第一金属层与一金属保护层的透明基板,且第一金属层由至少一软性金属或其合金所形成;(b)利用一部分曝光掩膜工艺形成一第一图样在第一金属层上,且形成一第二图样在金属保护层上;(c)形成一氮化铝层在第一金属层与金属保护层上;(d)移除第一金属层与金属保护层上的氮化铝层,使第一金属层呈一凹凸状表面;(e)形成一薄膜晶体管及一具有图样的像素电极。本方法可维持原电容容积,缩小电容体积,以提高每一像素孔径比(aperture ratio)。 | ||
搜索关键词: | 一种 液晶 显示装置 及其 下基板 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种液晶显示装置下基板的制造方法,其特征在于,包括步骤如下:(a)提供一表面具有一第一金属层与一金属保护层的透明基板,其中所述的第一金属层夹置于所述的金属保护层与所述的透明基板之间,且所述的第一金属层由至少一软性金属或其合金所形成;(b)利用一部分曝光掩膜工艺形成一第一图样于所述的第一金属层上,以及形成一第二图样于所述的金属保护层上;(c)形成一氮化铝层于所述的第一金属层与所述的金属保护层上;(d)移除所述的第一金属层与所述的金属保护层上的所述的氮化铝层,使所述的第一金属层呈一凹凸状表面;(e)形成一栅极,一源极图样以及一漏极图样于所述的金属保护层上,为一薄膜晶体管区域,并形成一电传导性第二金属层于所述的凹凸状表面的第一金属层上,为一储存电容区域,其中所述的电传导性第二金属层与所述的漏极电接触;以及(f)形成一具有图样的像素电极。
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