[发明专利]Bi类电介质薄膜形成用涂布液以及Bi类电介质薄膜

摘要

本发明公开了一种涂布液，是含有式{Bi_4－x、(La_z、B_1－z)_x}_n(Ti_3－y、A_y)O_12+α(式中，A表示Ge等金属元素，B表示除了镧以外的稀土元素、Ca、Sr等金属元素，0≤x＜4、0≤y≤0.3、0＜z≤1，n＝0.7～1.4，α为由金属组成比决定的数值)所表示的复合金属氧化物的、常介电性或者强介电性的Bi类电介质薄膜形成用涂布液，其特征为，含有至少由Bi、Ti 2种金属醇盐形成的复合金属醇盐，该涂布液优选为用水、或水和催化剂进行水解·部分缩合处理而得到的溶胶－凝胶液，并且优选在其中配合链烷醇胺。通过本发明可提供一种能够根据半导体存储器的用途，用于形成常介电性或者强介电性Bi类电介质薄膜的涂布液。

主权项

1.一种涂布液，是用于形成含有下述通式(I)表示的复合金属氧化物的强介电性Bi类电介质薄膜的涂布液，其特征为，含有至少由Bi、Ti2种金属醇盐形成的复合金属醇盐，{Bi4-x、(Laz、B1-z)x}n(Ti3-y、Ay)O12+α (I)式中，A表示选自V、Cr、Mn、Si、Ge、Zr、Nb、Ru、Sn、Ta、及W中的至少一种金属元素，B表示从除了镧以外的稀土元素、Ca、Sr以及Ba中选出的至少一种金属元素，x、y、z分别表示0≤x＜4、0≤y≤0.3、0＜z≤1的数值，n为0.7～1.4的数值，α为由金属组成比决定的数值。