[发明专利]磁电阻元件、磁头和磁记录及再现设备有效
| 申请号： | 200510053078.0 | 申请日： | 2005-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1674094A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 福家广美;福泽英明;汤浅裕美;桥本进;岩崎仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 磁电阻元件具有磁化受钉扎层、包括非磁性金属层、增加电阻层和另一个非磁性金属层叠层的非磁性间隔层、具有fcc晶体结构的磁化自由层、具有fcc、hcp或bcc晶体结构并且具有比磁化自由层更大的最近邻原子之间原子间距的磁化自由层，以及一对电极，提供所述电极从而在基本上垂直于磁化受钉扎层、非磁性间隔层、磁化自由层和盖层的平面的方向上供应检测电流。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 元件 磁头 记录 再现 设备 | ||
【主权项】：
1、一种磁电阻元件，包括：磁化受钉扎层，包括其磁化方向基本上被钉扎在一个方向上的磁性薄膜；在所述磁化受钉扎层上形成的非磁性间隔层；在所述非磁性间隔层上形成的磁化自由层，包括具有bcc晶体结构并且其磁化方向随着外加磁场而变化的磁性薄膜；在所述磁化自由层上或上方形成的盖层，具有fcc、hcp或bcc晶体结构，并且具有比磁化自由层更大的最近邻原子之间的原子间距；以及一对电极，配置成在基本上垂直于所述磁化受钉扎层、非磁性间隔层和磁化自由层的平面的方向上供应检测电流。
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