[发明专利]存储设备有效

专利信息
申请号: 200510052645.0 申请日: 2005-03-07
公开(公告)号: CN1664957A 公开(公告)日: 2005-09-07
发明(设计)人: 石田实;荒谷胜久;河内山彰;对马朋人 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: G11C11/409 分类号: G11C11/409;G11C7/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临;王志森
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 通过在写操作到选定的存储单元中时设置特定的条件,能够容易而准确地进行读数据操作。存储单元有这样的结构,在此结构中电极间材料层夹在第一电极和第二电极之间。通过改变第一电极和第二电极之间的电阻值来存储数据。将在高电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_high;将在低电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_low1;负载电路的电阻值表述为R_load;将第二电源线的电压设置为基准电压,读电压表述为Vread;阈电压表述为Vth_critical。在将数据写到存储单元中时,由于产生了低电阻状态,因此这些参数满足特定的关系。用与存储单元的存储元件有相同结构的元件来构成负载电路。
搜索关键词: 存储 设备
【主权项】:
1.一种存储设备,包括:存储单元阵列,其中,存储单元排列在多个行和多个列中,所述存储单元由存储元件和晶体管构成,所述存储元件能够通过将电阻值改变为至少高电阻和低电阻两个状态来存储多个数据,所述晶体管用于控制存取存储元件;控制装置,用于控制存取存储单元,该控制装置有行地址解码器,通过字线与该存储单元阵列中的多个存储单元相连,还有列地址解码器,通过位线与多个存储单元相连;电源装置,用于向存储单元施加给定的(读)电压,该电源装置包括第一和第二电源线;传感放大器,用于检测存储在存储单元中的数据;负载电路,用于把在读操作时通过存储单元流到位线的电流转换为电压,其中将在高电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_high;将在低电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_low1;负载电路的电阻值表述为R_load;将第二电源线的电压设置为基准电压,把施加在第一电源线和第二电源线之间的用于读操作的读电压表述为Vread;将在其上发生存储元件电阻值变化的阈电压表述为Vth_critical,产生低电阻状态,使得,在写数据到存储单元中时,满足下面公式(1)和公式(2)的关系。公式(1)R_mem_low1≤{Vread*R_mem_high/(R_mem_high+R_load)-0.01}*R_load/{Vread*R_mem_high/(R_mem_high+R_load)*R_load/R_mem_high+M(M是给定的值)}公式(2)Vread*R_mem_high/(R_mem_high+R_load)≤Vth_critical
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