[发明专利]掩模及其制法、薄膜图案的形成方法、电光学装置的制法无效
| 申请号： | 200510052134.9 | 申请日： | 2005-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1674730A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 四谷真一;桑原贵之;池原忠好 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H05B33/12;C23C14/12;C23C14/24;H01L21/285;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种可以适应被成膜区域的大型化，可以以高精度图案化的掩模、掩模的制造方法、薄膜图案的形成方法、电光学装置的制造方法和电子仪器。本发明的掩模，其特征在于，其中具有支持基板(10)、和被安装在该支持基板(10)上的多个芯片(20)，芯片(20)具有与在被成膜面上形成薄膜图案的至少一部分形状对应的开口部，芯片(20)占有面积比用多个芯片(20)形成的薄膜图案的面积小。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 制法 薄膜 图案 形成 方法 光学 装置 | ||
【主权项】：
1.一种掩模，其特征在于，其中：具有支持基板、和被安装在该支持基板上的多个芯片，所述芯片具有与在被成膜面上形成的薄膜图案的至少一部分形状对应的开口部，所述芯片占有面积，比用所述的多个芯片形成的薄膜图案的面积小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510052134.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
