[发明专利]导体图形的制造方法无效
| 申请号: | 200510051966.9 | 申请日: | 2005-02-23 |
| 公开(公告)号: | CN1661793A | 公开(公告)日: | 2005-08-31 |
| 发明(设计)人: | 筱原英司 | 申请(专利权)人: | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/027;C25D5/02;H05K3/00 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 提供一种导体图形的制造方法,没有抗蚀剂材料的制约,并且可以重复利用一次形成的光掩模,生产率高。该导体图形制造方法包括:在透明基板(1)的一面(1a)侧形成了遮光膜(2)而成的掩模基板(3)上形成透明导电膜(4)的工序;在透明导电膜(4)上叠层抗蚀剂层(5)的工序;通过从掩模基板(3)的另一面(1b)侧照射光而对抗蚀剂层(5)进行曝光、显影,从而形成具有抗蚀剂除去部(6a)的图形化抗蚀剂层(6)的工序;在从抗蚀剂除去部(6a)露出的透明导电膜(4)上,镀敷并形成导体图形的工序;以及在导体图形上装载布线基板而将导体图形转移到布线基板的工序。 | ||
| 搜索关键词: | 导体 图形 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种导体图形的制造方法,其特征在于,该方法包括以下工序:制备掩模基板,上述掩模基板在透明基板的一面侧上具有构图形成了遮光膜的掩模部,在该掩模部的整个面上形成透明导电膜的工序;在所述透明导电膜上叠层正型或负型的抗蚀剂层的工序;通过从所述掩模基板的另一面侧照射光而对所述抗蚀剂层曝光,并对曝光后的抗蚀剂层进行显影,由此将所述抗蚀剂层形成为具有与所述遮光膜的图形对应形成的抗蚀剂除去部的图形化抗蚀剂层的工序;在所述抗蚀剂除去部的底面露出的所述透明导电膜上,镀敷并形成导体图形的工序;以及在形成的所述导体图形上装载布线基板而将所述导体图形转移到所述布线基板的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔卑斯电气株式会社,未经阿尔卑斯电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510051966.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





