[发明专利]等离子体处理设备以及设计等离子体处理设备的方法有效
| 申请号： | 200510051824.2 | 申请日： | 2005-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1664996A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 内山信三 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/00;H05H1/00;H05H1/46;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子体处理设备以及设计等离子体处理设备的方法。所公开的等离子体处理设备具有等离子体产生部分和设置在所述等离子体产生部分和要处理的对象之间的多孔板，其中，所述多孔板具有多个孔，这些孔在形状、尺寸和布置中的至少一个方面是不均匀的。具体来说，根据在所述等离子体产生部分处的活性核素的分布以及对扩散的计算，确定所述孔的形状、尺寸或者布置，使得所述要处理的对象附近的等离子体活性核素具有所需的浓度和分布。这确保了在对象附近的等离子体分布均匀，同时很好地抑制等离子体密度的下降。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 以及 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理设备，包括：等离子体产生部分；以及设置在所述等离子体产生部分和要处理的对象之间的多孔板，其中，所述多孔板具有多个孔，这些孔在形状、尺寸和布置中的至少一个方面是不均匀的。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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